Herkunftsort:
Guangdong, China
Markenname:
HILINK
Zertifizierung:
CE FCC Rohs
Modellnummer:
HL-10G-SFP-BXD-100KM
Modul LC-Verbindungsstück DOM 10Gb/s 100KM BiDi SFP+ Transceiver-1490/1550nm einzelne
General
HL-10G-BXD100KM ist ein sehr kompaktes optisches Modul des Transceivers 10Gb/s für serienmäßiganwendungen der optischen Nachrichtenübertragung an 10Gb/s. Das TSBLXG80D-45&54 wandelt einen elektrischen 10Gb/s serienmäßigdatenstrom in optisches 10Gb/s Ausgangssignal und ein optisches 10Gb/s Eingangssignal in elektrische 10Gb/s serienmäßigdatenströme um. Die Hochgeschwindigkeits-elektrische Schnittstelle 10Gb/s ist mit SFI-Spezifikation völlig konform.
Die HochleistungNanometer 1490/1550Nanometer 1550/1490 kühlte EML-Übermittler und hohen Empfänger der Empfindlichkeit APD ab, überlegene Leistung für Ethernet-Anwendungen an bis 100Kilometer-Verbindungen zur Verfügung zu stellen.
Die SFP+-Modul compliants mit SFF-8431, SFF-8432 und IEEE 802.3ae 10GBASE-ZR. Digital-Diagnostikfunktionen sind- über eine 2-drahtige serielle Schnittstelle verfügbar, wie in SFF-8472 spezifiziert.
Der völlig konforme Formfaktor SFPs liefert heiße Steckerfähigkeit, einfache optische Portverbesserungen und niedrige EMS-Emission.
Eigenschaften
Unterstützungs-9,95 bis 11,3 Gb-/sbitgeschwindigkeiten
Heiß-steckbar
Einzelner LC für bidirektionales Getriebe
abgekühlter EML-Übermittler, APD-Fotodetektor
SMF-Verbindungen bis 80km
2-drahtige Schnittstelle für die Managementspezifikationen konform mit digitaler Diagnoseüberwachungsschnittstelle SFF 8472
Stromversorgung: +3.3V
Leistungsaufnahme<3w>
Temperaturspanne: 0~ 70°C
RoHS konform
Anwendung
10GBASE-ZR an 10.3125Gbps
10GBASE-ZW an 9.953Gbps
SONET OC-192/SDH
Kanal der Faser-10G
Andere Lichtleitstrecken
Transceivers BIDI (Verdrahtungshandbuch) SFP
| 10G SFP BiDi | SFP+ BiDi 1270 20km | SFP+ BiDi 20km Tx1270nm/Rx1330nm LC |
| SFP+ BiDi 1330 20km | SFP+ BiDi 20km Tx1330nm/Rx1270nm LC | |
| SFP+ BiDi 1270 40km | SFP+ BiDi 40km Tx1270nm/Rx1330nm LC | |
| SFP+ BiDi 1330 40km | SFP+ BiDi 20km Tx1330nm/Rx1270nm LC | |
| SFP+ BiDi 1270 60km | SFP+ BiDi 60km Tx1270nm/Rx1330nm LC | |
| SFP+ BiDi 1330 60km | SFP+ BiDi 60km Tx1330nm/Rx1270nm LC | |
| SFP+ BiDi 1490 80km | SFP+ BiDi 80km Tx1490nm/Rx1550nm LC | |
| SFP+ BiDi 1550 80km | SFP+ BiDi 80km Tx1550nm/Rx1490nm LC |
Produkt-Bild
Optische Eigenschaften (SPITZEN (C) = ℃ 0 bis 70, SPITZEN (I) =-40 zu ℃ 80, VCC = 3,13 bis 3,47 V)
| Parameter | Symbol | Min. | Typisch | Maximum. | Einheit | Anmerkung | ||
| Übermittler-Abschnitt: | ||||||||
| Mittelwellenlänge | TSBLXGA0D-45 | λt | 1470 | 1490 | 1510 | Nanometer | ||
| TSBLXG80D-54 | λt | 1530 | 1550 | 1570 | Nanometer | |||
| Spektralbreite | △λ | 0,3 | Nanometer | |||||
| Durchschnittliche optische Energie | Pavg | 0 | +5 | dBm | 1 | |||
| Optische Energie OMA | Poma | -2,1 | dBm | |||||
| Laser weg von der Energie | Poff | -30 | dBm | |||||
| Löschungs-Verhältnis | ER | 8,2 | DB | |||||
| Übermittler-Streuungs-Strafe | TDP | 3,0 | DB | 2 | ||||
| Relative Intensitäts-Geräusche | Rin | -128 | dB/Hz | 3 | ||||
| Optische Rückflussdämpfungs-Toleranz | 21 | DB | ||||||
| Empfänger-Abschnitt: | ||||||||
| Mittelwellenlänge | TSBLXGA0D-45 | λr | 1530 | 1550 | 1570 | Nanometer | ||
| TSBLXG80D-54 | λr | 1470 | 1490 | 1510 | Nanometer | |||
| Empfänger-Empfindlichkeit | Senator | -25 | dBm | 4 | ||||
| Los erklären | LOSA | -36 | - | dBm | ||||
| Los-Nachtisch | LOSD | -26 | dBm | |||||
| Los-Hysterese | LOSH | 0,5 | DB | |||||
| Überlastung | SAT | -7 | dBm | 5 | ||||
| Empfänger-Reflexionsvermögen | Rrx | -26 | DB | |||||
Anmerkungen:
1. Zahlen der durchschnittlichen Energie sind nur, pro IEEE802.3ae informativ.
2. TWDP-Zahl erfordert das Wirtsbrett, SFF-8431compliant zu sein. TWDP wird unter Verwendung des Matlab-Codes zur Verfügung stellte in der Klausel 68.6.6.2 von IEEE802.3ae berechnet.
3. Reflexion 12dB.
4. Zustände von betonten Empfängertests pro IEEE802.3ae. CSRS-Prüfung erfordert das Wirtsbrett, konforme SFF-8431 zu sein.
5. Empfängerüberlastung spezifiziert in OMA und unter der schlechtesten umfassenden betonten Bedingung.
Gehäuseabmessungen
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